主 讲 人 ：乔振华    教授

活动时间：01月07日09时30分    

地　　点：理科群2号楼B409

讲座内容：

In this talk, I will first introduce the recent progress on engineering high-temperature quantum anomalous Hall effects in graphene and high-Chern number quantum anomalous Hall effects. Then, I will introduce the research on engineering high-order topological insulators from in-plane magnetization or interlater coupling.

主讲人介绍：

乔振华，中国科学技术大学合肥微尺度物质科学国家研究中心和物理系双聘教授。2005年本科毕业于山西大学物理基地班；2009年博士毕业于香港大学物理系；2009至2013年在美国德州大学奥斯汀分校进行博士后研究；2013年加入中国科学技术大学。先后入选中国科学院“百人计划”、安徽省“百人计划”、国家青年特聘专家、国家万人计划“创新领军”人才。主要研究方向为低维材料拓扑物性和低维体系电子自旋输运特性。在Nature、Nature Nanotechnology和PRL等学术刊物发表论文109多篇，被引用5500余次。研究成果先后入选2019年“中国十大科技进展新闻”、2019年“中国科学十大进展”。