1月8日，2018年度国家科学技术奖励大会在北京人民大会堂举行，我院87级校友马卫东作为“集成化宽频带光发射器件与模块”项目的主要完成人获国家技术发明奖二等奖，受到党和国家领导人的亲切接见。

马卫东，博士，教授级高工，系我院87级物理系本科生，现任武汉光迅科技股份有限公司芯片部总经理，从事通信用光子集成芯片研究开发，多年联合中科院半导体研究所、南京大学，致力于解决激光器阵列的关键技术问题。激光器等光电子器件的自主可控技术，为我国信息安全和国防战略安全提供了重要保障。

国家技术发明奖授予运用科学技术知识做出产品、工艺、材料及其系统等重大技术发明的中国公民，通过评审，对候选人所做出的技术发明，从难易复杂程度、技术思路新颖程度、技术创新程度、主要技术经济指标的先进程度，对技术进步的推动作用、推广应用程度、已获经济或者社会效益及发展应用前景等方面进行综合评定，并据此决定授奖等级，每年评审一次。